首尔大学化工学院化学与生物工程学院、韩国国民大学高级材料工程学院，最近开发了一个用于Si/O/H/F系统，以模拟HF刻蚀剂刻蚀SiO2的ReaxFF力场。其中，利用DFT计算得到的训练集，包括反应物/产物的结构、键离解能、价角畸变、SiO2团簇与SiO2板与HF气体的反应等，对ReaxFF参数进行了优化。使用ReaxFF计算的结构和能量与QM训练集很好地匹配。 作者利用该力场，对活性HF分子对SiO2衬底的刻蚀过程进行了分子动力学模拟。研究了不同入射能量下，HF刻蚀剂的刻蚀率和反应产物数。这些模拟表明，该力场对SiO2刻蚀过程中原子表面反应，能够很好的描述。AMS的Molecule Gun功能能够模拟刻蚀模型。 AMS中包含拟合、优化ReaxFF的功能，帮助用户自建新力场，但该功能要求用户对反应、数值拟合有一定的了解。费米科技以促进工业级模拟与仿真的应用为宗旨，致力于推广基于原子级别模拟技术和基于图像模型的仿真技术，为学术和工业研究机构提供研发咨询、软件部署、技术攻关等全方位的服务。费米科技提供的模拟方案具有面向应用、模型新颖、功能丰富、计算高效、简单易用的特点，已经服务于众多的学术和工业用户。
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