氮化镓霍尔传感器C1
根据霍尔效应，人们用半导体材料制成的元件叫霍尔元件。它具有对磁场敏感结构简单、体积小、频率响应宽、输出电压变化大和使用寿命长等优点，因此，在测量、自动化、计算机和信息技术等领域得到广泛的应用。目前霍尔传感器以砷化镓、锑化铟以及砷化铟材料为主，有着广泛的应用，但是存在的问题是受温度影响比较大，温度偏移系数较大达到500ppm每度甚至更高，温度一般只能到70度，一些需要高精度量测的时候显得不足。现在第三代半导体氮化镓完美的解决了这一问题，受温度变化小，即温度系数小温度漂移，变化一度是50ppm的偏移，，从0-15T的磁场能够呈现很好的线性度，达到万分之5，工作温度可以到125度，为高精度量测应用带来了行业更好的解决方案。目前市场主要以coliy的High Performance Hall Sensor C1系列为主