东芝电子零组件股份有限公司 “东芝” 今日宣布推出采用新世代

东芝电子零组件股份有限公司（ “东芝” ）今日宣布推出采用新世代制程“U-MOS X-H系列”，扩展了150V N通道MOSFET的产品线。该系列产品适用于通信设备电源等应用。TPH1400CQH的RDS(on)为14.1ｍΩ，TPN4800CQH的RDS(on)为48ｍΩ。两款产品皆为贴片封装。

与前一世代的U-MOS VIII-H系列150V产品相比，新产品降低了导通电阻RDS(on)。借由优化元件结构改善了RDS(on)与输出电荷之间的平衡度[1] ，并且具有领先业界[2]的低功耗。除此之外，产品还降低了VDS Spike，有助于减少电源供应器的电磁干扰（ EMI ）。

[ 2] 根据东芝调查，在具有相同额定值的产品中进行比较（截至2023年1月）。

（改善RDS(on)与输出电荷之间的平衡度）

低导通电阻：

能承受高温：T ch （最大值）＝175°C

特别是在量产设计阶段，需要进行全面评估。

上述应用电路范例并不授予任何工业产权许可。

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