随着能源的日益紧缺,清洁能源的开发和利用已成为了当今时代的迫切需要。近年来,光伏电池组件和逆变器的成本不断降低,光伏发电已经成为了世界各国政府和能源专家的关注重点。逆变器作为光伏发电的重要组成部分,主要的作用是将光伏组件发出的直流电转变成交流电。
碳化硅(SiC)器件属于宽禁带半导体,与常用硅(Si)器件相比,有许多优势:
1)耐高压,碳化硅器件具备更高的击穿电场强度,最高耐压可达10kV,比硅(Si)器件耐压提高了几倍;
2)耐高温,其最高结温可达600度,而IGBT最高结温一般是175度;
3)碳化硅器件开关损耗非常低,非常适合用于高开关频率系统,当开关频率大于20Khz时,碳化硅器件损耗是硅IGBT的50%。