本发明系为一以酸性高分子材料之压印图案转移制程，其利用包含酸性单体之数种单体共聚合反应合成高分子阻剂，将高分子阻剂涂布于基材上再行热压印制程，由于该高分子阻剂为酸性聚合物，可利用碱性水溶液轻易去除基板上的酸性聚合物残留液，而不需使用昂贵的干式蚀刻，减少压印制程之去阻剂步骤时间及所需干式蚀刻机器及相关耗材使用，降低成本。
abstract = "本发明系为一以酸性高分子材料之压印图案转移制程，其利用包含酸性单体之数种单体共聚合反应合成高分子阻剂，将高分子阻剂涂布于基材上再行热压印制程，由于该高分子阻剂为酸性聚合物，可利用碱性水溶液轻易去除基板上的酸性聚合物残留液，而不需使用昂贵的干式蚀刻，减少压印制程之去阻剂步骤时间及所需干式蚀刻机器及相关耗材使用，降低成本。"
N2 - 本发明系为一以酸性高分子材料之压印图案转移制程，其利用包含酸性单体之数种单体共聚合反应合成高分子阻剂，将高分子阻剂涂布于基材上再行热压印制程，由于该高分子阻剂为酸性聚合物，可利用碱性水溶液轻易去除基板上的酸性聚合物残留液，而不需使用昂贵的干式蚀刻，减少压印制程之去阻剂步骤时间及所需干式蚀刻机器及相关耗材使用，降低成本。
AB - 本发明系为一以酸性高分子材料之压印图案转移制程，其利用包含酸性单体之数种单体共聚合反应合成高分子阻剂，将高分子阻剂涂布于基材上再行热压印制程，由于该高分子阻剂为酸性聚合物，可利用碱性水溶液轻易去除基板上的酸性聚合物残留液，而不需使用昂贵的干式蚀刻，减少压印制程之去阻剂步骤时间及所需干式蚀刻机器及相关耗材使用，降低成本。